3nm与7nm工艺技术的差异主要表现在晶体管尺寸、晶体管密度、性能、功耗以及制造难度等方面。

1. 晶体管尺寸：3nm工艺的晶体管特征尺寸为3纳米，而7nm工艺的晶体管特征尺寸为7纳米。3nm工艺的晶体管更小，这有助于提升集成电路的复杂性及其性能。

2. 晶体管密度：3nm工艺能够在每平方毫米内集成超过3500万个晶体管，而7nm工艺大约能集成1500万个晶体管。3nm工艺的晶体管密度更高，意味着芯片可以包含更多晶体管，从而增强性能和功能。

3. 性能与功耗：7nm工艺在性能和功耗之间取得了较好的平衡，适用于多种应用场景，包括高性能计算、移动设备和人工智能。3nm工艺由于晶体管尺寸更小，有望在性能上实现突破，但这也可能带来功耗的增加。

4. 制造难度：随着晶体管尺寸的减小，制造工艺的难度也相应增加。3nm工艺需要更先进的光刻技术和材料，这些技术的研发和应用成本较高，同时也受到物理极限的挑战。

晶体管尺寸对集成电路的影响：

1. 集成度与工作速度：晶体管数量和尺寸直接影响集成电路的集成度和工作速度。晶体管尺寸减小意味着更高的集成度，进而提升芯片运行速度。

2. 电性能与可靠性：晶体管尺寸缩小可能受到位移电流和漏电流的影响增大，同时新型微电子加工技术如原子层沉积也可能面临限制，这可能会影响芯片的电性能和可靠性。

3. 制造成本：更先进的制造工艺和技术导致晶体管尺寸缩小，进而增加集成电路的制造成本。

4. 物理极限：晶体管尺寸的缩小最终会触及物理极限，当晶体管尺寸小到一定程度时，将无法正常工作，这是限制集成电路进一步发展的关键因素之一。